英飛凌與為光能源深度攜手，共筑固態(tài)變壓器（SST）高可靠新未來

【2026年4月9日,中國上海訊】近日，英飛凌科技（以下簡稱“英飛凌”）與西安為光能源科技有限公司（以下簡稱“為光能源”）正式達成深度合作，攜手開啟能源技術(shù)革新新篇章。雙方將依托英飛凌領(lǐng)先的1200V TRENCHSTOP™ IGBT7及CoolSiC™ MOSFET G2碳化硅分立器件技術(shù)，賦能為光能源研發(fā)更緊湊、高效的通用固態(tài)變壓器（SST）產(chǎn)品，大幅提升其在儲能系統(tǒng)與充電樁領(lǐng)域的應用效能。雙方還計劃攜手將英飛凌全新碳化硅模塊引入數(shù)據(jù)中心SST應用領(lǐng)域，提前布局SST在數(shù)據(jù)中心爆發(fā)式增長前的戰(zhàn)略機遇，共同推動能源技術(shù)的持續(xù)進步與廣泛應用。

在電力系統(tǒng)中，可靠性是SST穩(wěn)定運行、保障供電連續(xù)性的基石，更直接關(guān)乎運維成本與整體經(jīng)濟效益。英飛凌新一代1200V CoolSiC™ MOSFET G2憑借創(chuàng)新設計，成為SST高可靠性應用的理想之選：增強型.XT擴散焊技術(shù)大幅提升散熱效率，使SST在高溫工況下穩(wěn)定運行，顯著延長系統(tǒng)壽命、增強可靠性；而溝槽柵設計與嚴苛生產(chǎn)管控，使柵極開啟閾值電壓參數(shù)分布更集中，保障多器件并聯(lián)時的高可靠性，同時簡化系統(tǒng)設計與控制，為SST市場提供了高可靠、易運維的優(yōu)質(zhì)解決方案。

CoolSiC™ MOSFET 1200V G2

為光能源在其SST系統(tǒng)中采用1200V TRENCHSTOP™ IGBT7與CoolSiC™ MOSFET G2碳化硅分立器件，并創(chuàng)新性地運用混合三電平拓撲技術(shù)，最高效率突破至98.5%，大幅降低能源損耗，提升能源利用效率；同時，系統(tǒng)尺寸顯著縮減，鏈路結(jié)構(gòu)更精簡，從全鏈路層面顯著提升了系統(tǒng)可靠性，樹立了行業(yè)效率與可靠性的雙重標桿。

為光能源第三代固態(tài)變壓器量產(chǎn)款（1.0MW/1.25MW/1.5MW）

英飛凌科技高級副總裁、工業(yè)與基礎設施業(yè)務大中華區(qū)負責人顧怡祥先生表示：“伴隨著能源轉(zhuǎn)型加速推進、固態(tài)變壓器（SST）市場前景廣闊，其可靠性尤為重要。英飛凌深耕碳化硅（SiC）領(lǐng)域二十余年，憑借對材料的深刻把握與創(chuàng)新工藝，構(gòu)建了遠超行業(yè)標準的可靠性試驗體系，輔以嚴苛生產(chǎn)管控，致力于成為業(yè)內(nèi)更可靠的SiC解決方案供應商。面對SST市場的爆發(fā)式增長，我們已提前布局，以高可靠、高效率的功率半導體解決方案，為全球能源轉(zhuǎn)型注入強勁動力，攜手伙伴共創(chuàng)綠色未來！”

為光能源創(chuàng)始人、總經(jīng)理郝翔博士表示：“為光能源以成為能源互聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的電能路由器引領(lǐng)者為愿景，專注固態(tài)變壓器（SST）研發(fā)創(chuàng)新，以突破性技術(shù)快速贏得市場，不僅SST交付量破百臺，更在光儲充SST全球市場出貨量穩(wěn)居第一。英飛凌作為全球碳化硅功率器件標桿， 新一代CoolSiC™ MOSFET G2產(chǎn)品高能效、高可靠性的特點，完美契合為光能源對產(chǎn)品的追求，為SST技術(shù)突破提供堅實支撐。未來，雙方將持續(xù)深化合作，拓展SST應用場景，共同打造更高效、安全、可持續(xù)的能源解決方案�！�